日芯片技术大突破 韩企要小心被赶超

日本芯片行业时隔19年终于发动了“大反击”。其目的就是争夺全球市场规模达43万亿韩元的DRAM存储芯片霸权。日本比三星电子、海力士更快，在全球率先开发出把线路之间的间隔缩小到25纳米（10亿分之1米）的DRAM存储芯片，并宣布7月起投入量产。面对这样的好消息，日本国内也一片欢腾。

“DRAM”是指一种可以记录和删除信息的电子产品用存储芯片，可批量生产，用于电脑的主记忆体。去年全球市场规模约达403亿美元。

韩国自三星电子1983年开始生产DRAM以来，一直与日本企业展开技术战争。这是一场在同一面积的储存芯片上添加更多线路和功能的“集积度战争”。在这场战争中，韩国于1992年率先开发出64M容量的DRAM，赶超日本。此后始终把日本甩在身后。从此之后日本在世界DRAM市场的占有率跌至 10%-20%。

日本曾一度被推到“悬崖边”，但此次时隔19年终于宣布技术大突破。日本尔必达（ELPIDA）公司此前也曾有过几次宣布“开发出新DRAM”后，把量产时间延后的先例。因此，很多专家对尔必达这次能否“在DRAM存储芯片市场真正实现大逆转”持怀疑态度。

无路可退的日本“大反击”

尔必达是以“打倒韩国”为目标的企业。尔必达公司总经理坂本幸雄曾豪言：“将与台湾企业联手，把三星全球市场占有率从40%打压到30%。”

尽管坂本幸雄放出了豪言，但尔必达此前一次都没有发动过真正的“反击”。反而在提高芯片集积度的技术竞争中频频失利。

所谓的“集积度竞争”是为了在芯片里放入更多电路而缩短间隔。缩短电路之间的间隔就可以把同样大小的电路放入更小的芯片里。因此生产芯片时，利润和效率也会提高。

一直以来尔必达在竞争中不敌韩国企业，占有率和利润也逐渐下降。去年，韩国企业（三星电子37.5%，海力士21.5%）的市场占有率远远超过尔必达 (16.2%)。今年第一季度，尔必达的营业亏损达到60亿日元，营业利润率为负7%。而三星电子(18%)和海力士(12%)均实现两位数的营业利润。

但尔必达此次开发出25纳米级工艺技术后，为超越韩国奠定了基础。尔必达从去年开始就不断增强研发(R&D)力度。去年初，尔必达通过子公司瑞晶电子，在台湾建立了研发中心。今年2月在台湾股市上市，增资1.5亿美元，筹集到研发与投资资金。

韩国一位业内人士说：“尔必达似乎认为，如果现在不能赶超韩国，就再也没有机会。此前韩国企业的技术领先尔必达约6个月，但现在反而落后4、5个月。”

韩国企业认为影响不会太大

面对日本的发力，韩国企业也开始关注事态的发展。三星电子表示：“不会有什么影响。”即使率先缩短DRAM存储芯片的电路间隔，批量生产并非容易。三星电子有关人士说：“如果不合格率超过30%，经济效率降低，不能向市场推出产品。尔必达能否按计划在7月投入量产还要继续观察。”

尔必达今年第一季度初也曾宣布量产30纳米级DRAM，但至今都没有投产。而三星电子和海力士已投入量产。业内人士说：“我们怀疑资金周转困难的尔必达为了在资金市场筹集资金，故意发布尚未成熟的技术开发内容。”

新韩金融投资证券公司表示：“尔必达开发的产品看似研发阶段的试验品。我们将关注尔必达能否成功实现逆转。”

尔必达(ELPIDA Memory)

尔必达是日本唯一的DRAM存储芯片公司。1999年由日立和日本电气公司（NEC）的DRAM事业部合并成立。市场占有率继三星电子、海力士后，位居第三(16.2%)。最近收购台湾DRAM厂商，扩大规模。尔必达在希腊语中意为“希望(hope)”，反映了日本芯片企业要追赶韩国企业的愿望。