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SANDISK开发出32纳米闪存技术 最小闪存芯片

来源:天极网 作者:网络 责任编辑:admin 发表时间:2018-07-14 13:55 
核心提示:2009年2月11日,闪存供货商SanDisk®(NASDAQ:SNDK)和东芝公司今天宣布,两公司使用32纳米(nm)处理技术生产出32GB 3 bits/单元(3-bits-per-cell) (X3)存储芯片,共同开发出多层式芯片(MLC) NAND 快闪存储器。

突破现有技术,使microSD卡拥有更大容量

SanDisk先进的All Bit-Line (ABL)架构及32纳米处理技术的进步,保障了43纳米 处理技术的性能水平。

2009年2月11日,闪存供货商SanDisk®(NASDAQ:SNDK)和东芝公司今天宣布,两公司使用32纳米(nm)处理技术生产出32GB 3 bits/单元(3-bits-per-cell) (X3)存储芯片,共同开发出多层式芯片(MLC) NAND 快闪存储器。该项突破预期将很快为从存储卡到固态硬盘(SSD)等市场带来能够提高产品容量、降低制造成本的先进技术。

“在推出56nm 3 bits/单元的第一代产品后的一年半时间里,我们又开发出了第三代32纳米上的3 bits/单元技术,这充分表明,要成为当今世界此行业中的佼佼者就必须加快步伐,”SanDisk共同创始人兼总裁Sanjay Mehrotra说,“我们能够提供更高的容量,更美观的外形,同时又能够降低制造成本——这些都有助于拓展我们的各种产品线。这一新研发成果彰显了SanDisk最终使消费者受益的、高水平的专业技术和创新。”

32纳米 X3 技术—microSD应用的最佳选择

32nm 32GB X3技术是迄今为止最小的NAND快闪存储芯片,能够适用于指甲大小的microSD™ 存储卡格式,这种格式广泛应用于移动电话和其他消费电子产品装置中。32nm 32GB X3是世界上密度最高的microSD存储芯片,能够提供两倍于43nm microSD 芯片的容量,同时模片区仍保持不变。32纳米处理技术以及电路设计中的进步为113mm2规格存储芯片做出了巨大贡献;同时,SanDisk的专利All-Bit-Line (ABL)架构在提高X3读写性能方面起到了重要推动作用。

“32纳米X3存储芯片的小巧外形和令人难以置信的密度使microSD卡的容量提升的更高成为可能;没有这项技术,这种高容量将无从谈起。”SanDisk OEM业务部和企业工程执行副总裁Yoram Cedar说,“随着移动电话高存储容量需求的日益提高,microSD的尺寸越来越受到人们的青睐,X3将使我们能够为市场带来激动人心的新产品。”

基于SanDisk核心技术

32纳米是迄今为止最为先进的闪存技术,它需要先进的解决方案来管理性能规格的变化。32纳米技术将数种创新技术结合起来,与摩尔定律中的趋势线相比,模片区大幅度减小。

“32纳米技术是基于SanDisk 43纳米浸没式光刻技术的成功实施,它采用了间隙壁工艺,同时又不增加在昂贵的光刻设备方面的投资,”SanDisk公司存储技术部副总裁Klaus Schuegraf说。“SanDisk将其业界领先的64-bit NAND字串长带到32纳米,同时用创新性程序算法和系统设计弥补了位与位(bit to bit)间的干扰影响。”

SanDisk和东芝公司今天在2009国际固态电路大会(ISSCC)上共同发布了32nm 32GB X3 NAND快闪存储器的文章,介绍了使32纳米成为可能的技术革新。预计32nm 32Gb X3在2009年下半年开始投入生产。

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