iNPOFi单芯片无线充电—效率超90%，减少90%PCB面积

2013年6月，硅展科技在广州“2013年天翼手机交易会”展示了“inpofi智能无辐射”技术ssl1001、ssl1006系列无线充电发送器和接收器集成电路(ic)，其在单芯片上集成发送器与支持组件，与现有解决方案相比可将发送器和接收器面积和bom（材料清单）减少90%以上，同时方案电源传输效率超过90%，相比于传统无线充电方案明显的优势吸引参展手机厂商的广泛关注和讨论。

无线充电技术近年来炙手可热，像蓝牙技术、wifi技术让人们摆脱线缆传输数据一样，它的出现让人们看到可以摆脱无数不同规格、不同种类充电连接线的束缚，只要把手机等设备往充电底座上一放，就能轻松实现充电。目前市场已有一些智能手机支持无线充电功能，例如三星galaxy s4/s3、诺基lumia 920/820、lg nexus4等等。但现阶段基于qi电磁感应技术的无线充电方案仍存在一些技术难题，主要体现在效率偏低（最高70%）、发热严重、体积偏大等方面，即使是德州仪器（ti）、idt、飞思卡尔、凌阳等国际知名厂家经过数年努力，性能改善依然不大，可以说qi电磁感应方案在技术上存在先天不足，这也是众多手机厂商不敢大范围推出内置电磁感应技术无线充电手机的根本原因。

针对现有qi电磁感应技术，以及其他电磁共振、电场耦合等技术难以突破的技术障碍，硅展科技开发了“inpofi智能无辐射充电技术”。不同于电磁感应、电磁共振、电场耦合等技术都通过电磁辐射来传递能量，利用智能控制通过电场直接传输能量。ssl1001、ssl1006芯片组从根本上解决了现有无线充电技术在效率发热、电磁干扰、辐射等方面的技术问题，同时由于方案具有极高的集成度，在体积和成本上也均远优于其他无线充电技术。

效率超90%，温升小于2℃

电磁感应、电磁共振技术电能转化需要经过“电→磁、磁→磁、磁→电”三次能量转化过程，致使系统效率没法突破，最高效率只能达到70%左右，发射器和接收器相对位置稍微偏移效率则可能低于40%。日本村田的电场耦合技术则需要通过“升压至数kv、电→电、降压”三次能量转化过程，系统效率同样最高只能达到70%左右。“inpofi智能无辐射充电技术” 简化能量传输过程，直接“电→电”一次能量转化即实现充电过程，系统效率超过90%。

由于效率偏低，基于电磁感应、电磁共振、电场耦合等技术的无线充电器电能损耗很大，而损失的能量很多会转化成热量，从而使设备温度上升，最高温升可达20℃，这个温升对电池及设备的寿命会造成一定影响，并存在潜在的安全隐患。“inpofi”技术的热效应及其微弱，充电过程中的设备外壳温升不超过2℃。

pcb面积和bom减少90%

ssl1001、ssl1006芯片具有高度集成性，其将锁相环时钟电路、微处理器、电源管理系统、数据通信等模块集成在一块芯片。芯片能够完成传统无线充电方案需要2~9片芯片、一个感应线圈以及多于30个分立元器件搭建的所有功能，极大的减少了整个系统的尺寸。