红外线薄膜芯片创新纪录效率跃至72％

来源：未知　作者：佚名　责任编辑：admin　发表时间:2012-12-12 11:38　

核心提示：这项由雷根斯堡研发实验室得出的成果，创造了新的里程碑。芯片的波长为850 nm，以红外线薄膜芯片技术制成的1 mm2 芯片，在100 mA 的操作电流下的效率可达72％。这种效率称为功率转换效率（wall plug efficiency，简称WPE），指的是辐射功率转换成电输出功率的

欧司朗光电半导的红外线芯片原型产品创新纪录，效率最高可达72％。在实验室条件下，1 A 操作电流下的输出约为930 mW，这芯片的光输出比市面上目前可得的芯片高约25％，这表示，未来的红外线LED省电效率将会更高。

这项由雷根斯堡研发实验室得出的成果，创造了新的里程碑。芯片的波长为850 nm，以红外线薄膜芯片技术制成的1 mm2 芯片，在100 mA 的操作电流下的效率可达72％。这种效率称为功率转换效率（wall plug efficiency，简称WPE），指的是辐射功率转换成电输出功率的效率。

外部量子效率（external quantum efficiency，简称EQE），也就是从每个电子中创造出光子以及从LED芯片发射出来的机率，最高可高达67％，在最高1A 操作电流下也高于64％。

这个芯片原型产品的波长为850 nm，比较适合红外线照明，尤其是用于监视以及闭路电视摄影机之用。这也可以用在某些极具潜力的汽车安全装置上，例如防碰撞感应器以及夜视系统的照明光源。

欧司朗光电半导体雷根斯堡总部的 IRED 开发专案经理 Markus Bröll 指出:“提高效率与亮度的作法，可以从850 nm 转移到其他的波长上去。这代表红外线照明未来很可能创造出省电效率更高的解决方案。”不仅如此，在多芯片应用所需要的元件将会更少，这可以省钱及节能。预计新的芯片会在明年初与明年中之间加入系列化产品。

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