下一代通信产品芯片存在安全软肋
新一代通信技术产品中的芯片存在安全软肋，必须紧急寻找替代的稳定屏蔽薄膜。在美华人博士何铭的这项首次研究发现，引起国际半导体领域的高度关注。
当代高性能微电子芯片都是用铜做导线，而导线之间用氧化硅作为绝缘体。由于铜很容易扩散到绝缘体里面，导致芯片漏电。因此当今主流２０纳米或者更大尺寸的高性能芯片里面，通用的做法是在导线和绝缘体之间加钽和钽合金屏蔽薄膜。有了这层金属屏蔽薄膜，芯片才能无故障地工作１０年以上。
何铭的研究结果发现，按照旧技术体系，下一代微电子芯片的开发将会遇到巨大的麻烦。如果下一代更高性能的电子芯片运用多孔绝缘体材料，那么钽材料自身和多孔绝缘体的界面就会非常不稳定，甚至会导致钽金属扩散到多孔绝缘内部，这是国际半导体领域首次发现钽和多孔半导体之间的不稳定性。而且从动力学模型上，他还发现钽在多孔绝缘体内部的移动速度并不慢。何铭的这项全新发现表明，下一代芯片技术必须紧急寻找替代的稳定屏蔽薄膜，不然莫尔定律（每两年芯片更新一代）将失效，这就会导致一系列通信技术产品推迟上市。
何铭是浙大校友，留学美国伦斯勒理工学院并获得博士学位，现在美从事半导体科学研究。何铭的这项研究成果被披露后，美国《应用物理快报》、《微电子可靠性》、《电化学学会》等众多权威杂志纷纷刊登，施普林格科学商业媒体出版公司还专门为这项研究发现出版了专著。
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