3D TSV芯片将在五年内抢占九成半导体市场

来源：国际电子商情　作者：佚名　责任编辑：admin　发表时间:2012-08-10 18:19　

核心提示：Yole Developpement的先进封装部市场暨技术分析师Lionel Cadix 指出，3DIC通常使用TSV技术来堆栈内存和逻辑IC，预计此类组件将快速成长；另外，3D WLCSP也将以18%的年复合成长率(CAGR)快速成长。

市调机构 Yole Developpement 稍早前发布了一份针对 3DIC 与硅穿孔(TSV)的调查报告，指出过去一年来，所有使用TSV封装的3DIC或3D-WLCSP平台(包括CMOS影像传感器、环境光传感器、功率放大器、射频和惯性 MEMS组件)等产品产值约为27亿美元，而到了2017年，该数字还可望成长到400亿美元，占总半导体市场的9%。

Yole Developpement的先进封装部市场暨技术分析师Lionel Cadix 指出，3DIC通常使用TSV技术来堆栈内存和逻辑IC，预计此类组件将快速成长；另外，3D WLCSP也将以18%的年复合成长率(CAGR)快速成长。

3D WLCSP是当前能高效整合小尺寸光电组件如CMOS影像传感器等的首选解决方案。它也是目前最成熟的3D TSV平台，Yole Developpement估计，2011年该市场规模大约为2.7亿美元，其中有超过90%来自于低阶和低分辨率CMOS影像传感器(通常指CIF, VGA, 1MPx / 2MPx传感器等)。台湾的精材科技(Xintec)是当前3D WLCSP封装的领先厂商，接下来是苏州晶方半导体科技(China WLCSP)、东芝(Toshiba)和 JCAP 。

大多数3D WLCSP业者都以200mm晶圆级封装服务为主。不过，各大主要业者均有朝300mm转移趋势。事实上，此一趋势也是迈向高阶CMOS影像传感器市场(> 8MPx分辨率)的必要过程，目前的传感器市场也正在从背面照度(backside illumination)朝真正的3DIC封装架构转移。这种最新架构称之为“3D BSI”，其中的光电二极管是直接垂直堆栈在DSP/ROIC晶圆上，并透过TSV连接。

未来的3DIC将由内存和逻辑堆栈SoC驱动

未来几十年内，3DIC都将凭借着更低的成本、更小的体积，以及推动芯片功能进化等优势，成为未来半导体产业的新典范。Yole Developpement先进封装事业部经理Jerome Baron 指出，预估未来五年内，3D堆栈DRAM和3D逻辑SoC应用将成为推动3DIC技术获得大量采用的最主要驱动力，接下来依序是CMOS影像传感器、功率组件和MEMS等。他表示，今天带动高阶应用的仍然是2.5D硅中介层技术。拜先进芯片设计和封装技术之赐，更多大型的FPGA和ASIC等芯片已经开始应用在工业领域，而且未来还将应用在游戏和智能电视等市场中。

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