IC观察：国产功率半导体芯片亟待突破
功率半导体在产品节能中发挥着巨大的作用。在可预见的将来，无论是水电、核电、火电还是风电，甚至各种电池提供的化学电能，将是人类消耗的最重要能源。但是75%以上的电能应用需由功率半导体进行变换以后才能供电子设备使用，而且功率半导体还能使电能的利用更高效、更节能、更环保，给使用者提供更多的方便。因此，功率半导体的发展应用前景将非常广阔。应用范围正从传统的工业控制领域——4C领域(计算机、通信、消费类电子产品和汽车电子)扩展到国民经济与国防建设的各个方面。
尽管我国拥有国际上最大的功率半导体市场，但是目前国内功率半导体产品的研发与国际大公司相比还存在很大差距，特别是高端器件差距更加明显。以IGBT为例，核心技术均掌握在发达国家企业手中，IGBT技术集成度高的特点又导致了较高的市场集中度。跟国内厂商相比，英飞凌、三菱电机、富士电机和日立等国际厂商占有绝对的市场优势。形成这种局面的原因，一是国际厂商起步早，研发投入大，尤其是在传统的硅基半导体领域形成了专利壁垒。二是国外高端制造业水平比国内要高很多，一定程度上支撑了国际厂商的技术优势。中国功率半导体产业的发展必须改变目前技术处于劣势的局面，特别是要在产业链上游层面取得突破，改变目前功率器件领域封装强于芯片的现状。
总体来看，当前功率半导体的技术发展方向是：第一，碳化硅芯片的采用;第二，功率半导体里面搭载的各种功能;第三，在封装技术上，通过摒弃了绑定线，使功率半导体的寿命更长、稳定性更好、功率密度更大。因此，我国功率半导体企业需要认清技术发展趋势，加强技术力量的引进和消化吸收，以市场带动设计，以设计促进芯片，以芯片壮大产业，加大国内功率半导体技术的创新力度和提高产品性能，从而满足市场需求，促进功率半导体市场的健康发展以及国内电子信息产业的技术进步与产业升级。
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