消费者对智能手机高性能处理需求提升 单芯片平台竞逐中低端智能(2)

U8500一直定位于中端或中低端市场，对于手机制造商以及设计公司来说，正适合开发高性价比的智能手机。据悉，目前三星、索尼、HTC以及中国的手机终端设计公司Ontim、威盛已经采用该平台开发出多款智能终端产品。

应满足移动互联多元化需求

手机制造商的需求可以简要地概述为在低功耗、低成本的模式下，提供高性能。

而由于高昂的IP授权和NRE费用，智能终端芯片研发成本越来越巨大。并且，为适应移动互联网终端多层次、多元化的需求走势，芯片厂商也需倾力开发新一代产品。

除了IP问题之外，工艺也是一大大隐患。目前市场主流工艺为40nm，代表未来方向的28nm工艺目前也面临良率不高和产能不足的挑战。并且，28nm工艺基本被英特尔、三星、GF以及台积电垄断。手机芯片厂商也在寻求新的创新点和立足点。

而移动互联网终端“新兵”英特尔自然倚重的是其工艺优势。自今年初发布了其代号为Medfield的Atom芯片Z2460后，最近英特尔还宣称在今年下半年将推出凌动Z2580工程样品，集成HSPA+/WCDMA基带。至2014年，英特尔计划将芯片工艺推至14nm。虽然英特尔手机芯片在功耗、生态系统等方面与ARM还有差距，但凭借其工艺优势和技术积累，市场洗牌将提前上演。

而意法·爱立信的选择则是全耗尽平面晶体管技术(FD-SOI)。意法·爱立信表示将会在L8540之后的平台引入FD-SOI。据悉，全耗尽平面晶体管技术的FD晶圆由氧化埋层(BOx)和BOx之上的极薄硅层组成，可为在此层建成的晶体管提供独特性能，适用于移动和消费级多媒体应用。与传统CMOS工艺相比，在保持相同性能的前提下，FD晶圆可降低高达40%的功耗。同样，依据不同的设计优化，以全耗尽晶圆为基础的处理器峰值性能最高可增长60%。此外，全耗尽晶圆可由标准晶圆厂制造，由于其可与诸多传统低功耗CMOS共用许多工艺步骤，可节省10%的生产步骤，更具成本竞争力。

张代君最后指出，手机制造商的需求可以简要地概述为在低功耗、低成本的模式下提供高性能，而全耗尽平面晶体管技术正是能满足这些需求的一项技术。