世界最亮深紫外LED芯片吸引全球目光
2011年12月7日-9日,国际半导体器件研究研讨会(International Semiconductor Device Research Symposium)在美国华盛顿马里兰大学召开,三安光电与合作伙伴CRYSTALISINC(USA)推出的世界上亮度最高的深紫外LED芯片吸引了全球专家的目光。
三安光电本次开发的新产品为波长低于280nm的氮化铝衬底深紫外LED芯片(UVCLED),用氮化铝衬底的优点在于深紫外波长光通量匹配、晶格匹配、热膨胀系数匹配,为外延生长提供了一个最理想的基板。芯片工艺采用我司芯片量产技术,搭配特定的干蚀刻工艺及相应的电子金属结构,大大提高了LED器件的发光效率和可靠性。经美国陆军研究实验室(ArmyResearchLaboratory)设备检测,波长265nm的UVCLED封装后达到9.2mw产业化指标,是目前世界最亮的UVCLED。
UVCLED芯片有广阔的应用领域,主要包括代替广泛应用的含汞杀菌紫外灯、深紫外线直接杀菌、民用食水净化及消毒、空气净化及消毒、分光光度计光源、光线疗法等。
UVCLED芯片技术及产品的成功推出,彰显了我公司在LED领域的研发实力,提高了在国际半导体照明领域的影响力和竞争力,进一步巩固了在LED深紫外领域的领先地位。
(责任编辑:admin)- “扫一扫”关注融合网微信号
免责声明:我方仅为合法的第三方企业注册用户所发布的内容提供存储空间,融合网不对其发布的内容提供任何形式的保证:不保证内容满足您的要求,不保证融合网的服务不会中断。因网络状况、通讯线路、第三方网站或管理部门的要求等任何原因而导致您不能正常使用融合网,融合网不承担任何法律责任。
第三方企业注册用户在融合网发布的内容(包含但不限于融合网目前各产品功能里的内容)仅表明其第三方企业注册用户的立场和观点,并不代表融合网的立场或观点。相关各方及作者发布此信息的目的在于传播、分享更多信息,并不代表本网站的观点和立场,更与本站立场无关。相关各方及作者在我方平台上发表、发布的所有资料、言论等仅代表其作者个人观点,与本网站立场无关,不对您构成任何投资、交易等方面的建议。用户应基于自己的独立判断,自行决定并承担相应风险。
根据相关协议内容,第三方企业注册用户已知悉自身作为内容的发布者,需自行对所发表内容(如,字体、图片、文章内容等)负责,因所发表内容(如,字体、图片、文章内容等)等所引发的一切纠纷均由该内容的发布者(即,第三方企业注册用户)承担全部法律及连带责任。融合网不承担任何法律及连带责任。
第三方企业注册用户在融合网相关栏目上所发布的涉嫌侵犯他人知识产权或其他合法权益的内容(如,字体、图片、文章内容等),经相关版权方、权利方等提供初步证据,融合网有权先行予以删除,并保留移交司法机关查处的权利。参照相应司法机关的查处结果,融合网对于第三方企业用户所发布内容的处置具有最终决定权。
个人或单位如认为第三方企业注册用户在融合网上发布的内容(如,字体、图片、文章内容等)存在侵犯自身合法权益的,应准备好具有法律效应的证明材料,及时与融合网取得联系,以便融合网及时协调第三方企业注册用户并迅速做出相应处理工作。
融合网联系方式:(一)、电话:(010)57722280;(二)、电子邮箱:2029555353@qq.com dwrh@dwrh.net
对免责声明的解释、修改及更新权均属于融合网所有。