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Vishay Siliconix推出扩充PowerPAIR®双芯片不对称功率MOSFET

来源:EEWORLD 作者:佚名 责任编辑:admin 发表时间:2011-11-15 22:58 
核心提示:采用PowerPAIR 3 x 3封装的30V SiZ300DT和采用PowerPAIR 6 x 5封装的SiZ910DT提供了新的占位面积选项,扩充了该系列产品。SiZ300DT定位在需要处理10A和以下电流的DC/DC应用,SiZ910DT适用于20A以上的应用。

Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以扩充用于低电压DC/DC转换器应用的PowerPAIR®家族双芯片不对称功率MOSFET。新器件扩大了该系列产品的电压和封装占位选项,使Vishay成为3mm x 3mm、6mm x 3.7mm和6mm x 5mm PowerPAIR尺寸规格产品的独家供应商。

采用PowerPAIR 3 x 3封装的30V SiZ300DT和采用PowerPAIR 6 x 5封装的SiZ910DT提供了新的占位面积选项,扩充了该系列产品。SiZ300DT定位在需要处理10A和以下电流的DC/DC应用,SiZ910DT适用于20A以上的应用。PowerPAIR 3 x 3的面积大约是PowerPAIR 6 x 5的1/3。

采用PowerPAIR 6 x 3.7封装的三款新器件是业内首批产品,再加上此前推出的SiZ710DT,使这种尺寸规格器件的电压范围从20V扩展到30V。新的SiZ728DT是首款25V PowerPAIR 6 x 3.7器件,SiZ790DT是采用这种尺寸规格并提供一个板上肖特基二极管的首款器件。SiZ730DT是首个具有最低RDS(on)的30V PowerPAIR 6 x 3.7器件。

所有五款新器件及SiZ710DT的详细性能规格。有关Vishay的PowerPAIR® MOSFET完整产品组合的信息。

Vishay Siliconix PowerPAIR® 家族中的各款器件将两个MOSFET以最优的方式组合在单片封装内,帮助简化高效同步降压单相和多相DC/DC转换器的设计。通过增大低边MOSFET的尺寸以实现更低的传导损耗,器件的不对称配置有效提高了性能表现。Vishay充分发挥TrenchFET® Gen III技术和PowerPAIR®的不对称特点,将低边MOSFET的最大导通电阻降至3m,比同档的不对称器件降低了几乎50%。

PowerPAIR器件为设计者提供了两个封装在一起的MOSFET,能够简化PCB布线并减少寄生电感,从而帮助降低开关损耗并提高效率。

新的PowerPAIR器件将在各种电子产品中更有效地使用能源和空间,这些产品包括笔记本电脑和桌面电脑、服务器、游戏机、机顶盒、电视机和调制解调器。

新款PowerPAIR器件现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十二周到十四周。

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