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晶电红光芯片效率达到200 lm/W

来源:LEDinside 作者:佚名 责任编辑:admin 发表时间:2011-11-07 12:59 
核心提示:芯片光电致力于四元红光低压(2V)芯片与高压(HV)芯片效率提升,相较于使用红色萤光粉转换形成暖白色调之技术(Phosphor Red platform),芯片光电四元芯片技术可提供更高效率及更低成本之解决方案。

以高效率红光芯片混光(Direct-Red platform)是LED暖白光照明应用的重要技术之一。这个技术提供LED照明灯更好的发光效率、更佳的演色性(CRI),以及更具竞争力的性价比 (流明/美元,lm/$)。

芯片光电致力于四元红光低压(2V)芯片与高压(HV)芯片效率提升,相较于使用红色萤光粉转换形成暖白色调之技术(Phosphor Red platform),芯片光电四元芯片技术可提供更高效率及更低成本之解决方案。EPISTAR LAB最新的实验室数据报告,小尺寸(355μm2)红光低压2V芯片在6 mA下操作,其发光波长609nm (Wd)可达成200 lm/W之高效率,在一般20mA操作电流下,效率也可达184 lm/W。

要达到如此绝佳的效率,EPISTAR LAB开发出多项技术,其中包括透明基板转换制程、减少量子井光线吸收、增加光子萃取率的细微结构与提高电流分布均匀度等。同样的技术也应用在红光高压(HV)芯片,数据报告高压(HV)芯片在6 mA下操作可达到186 lm/W,一般20mA操作电流下,则可达到174lm/W,此时电压值为18.5伏特。超高效率红光高压(HV)芯片适合应用在2W~10W具有光引擎侷限空间的LED灯具,例如GU10以及灯泡。

芯片光电将持续开发更先进之芯片技术,并与客户紧密合作,提供市场更佳之照明解决方案。

(责任编辑:admin)
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