ST推下变频器+频率合成器的单芯片方案
融合网|DWRH.net 报道，意法半导体(STMicroelectronics, ST)推出下变频器与频率合成器二合一的高整合度芯片 STW82100B 系列，能让无线基础通讯设备制造商能够以更低的成本满足市场对具更高灵活性及小尺寸的下一代行动网络基地台的需求。除了无线基地台外，新产品还能用于其它设备，包括射频(RF)仪器和一般无线基础通讯应用。
ST 表示，在行动通讯产业内，消费者对宽带网络服务的需求以高速度成长。行动网络营运业者正加快脚步推出具更快传输数据速率(14.4Mbit/s或更高，HSPA/HSPA+)的网络服务。市场对具更高速度的下一代无线通信标准3GPP-LTE 的投资也持续提高。根据市调机构Infonetics Research的最新报告显示，截至2014年底，长期演进技术(Long Term Evolution，LTE)基础设施的市场规模将超过110亿美元。
意法半导体全新的STW82100B系列符合设备厂商对高性能和低成本的要求，在单一芯片上整合了射频合成器和下变频器(down-converter)等重要的基地台功能，经市场验证，这款IC适合用于新的行动通讯标准，如 LTE。采用意法半导体的高质量BiCMOS制程，这款IC拥有先进的整合度，并能满足设备厂商全部的重要性能需求。意法半导体这款以先进制程制造的芯片已获主要基地台厂商广泛采用。
STW82100B系列现有STW82100B、STW82101B、STW82102B及STW82103B等型号，均以ST经市场验证的射频合成器IC(STW81102系列)为基础。该产品可支持不同的工作模式，为设计人员带来很高的灵活性。在接收器端，该芯片可为每个天线信道提供一个专用的本地震荡(Local Oscillator ，LO)频率产生器，或可用于较传统的天线分集系统。在发送器循环电路内，其优异的增益平坦度(gain flatness)和内建的10位数字模拟转换器(DAC)让设计人员在驱动外部PIN二极管时可实现最佳的讯号校准。
STW82100B的主要特性包括：高输入线性;8dB转换增益(conversion gain);10.5dB噪声指数(noise figure);有效避免干扰及假性讯号。STW82100B现已量产，采用7 x 7mm VQFPN 封装，意法半导体并将于近期内推出应用评估套件。
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