IMFT宝座仅7天 东芝最新推19nm闪存芯片

4月22日报道，上周，Intel和镁光发表联合声明，正式推出采用20nm制程技术制造的NAND闪存芯片产品，并称这款产品将于年内在IMFT属下的工厂开始生产。不过两家的头名板凳还没有坐热，本周Sandisk和东芝组成的搭档组合便重新夺回了NAND闪存制程技术的宝座，东芝当地时间周三展示了19纳米NAND闪存芯片，这是目前存储密度最高的智能机和平板存储芯片，目前这两家公司在日本设有一家合资芯片制造公司。

东芝19纳米NAND闪存芯片它采用每单位双位元结构，每颗芯片最大容量8GB，这意味着按照目前智能手机的闪存结构，128GB的产品即将出现。这款芯片还支持DDR 2.0技术，并在不久后实现三位元结构，预计iPhone 5将会成为首批产品的买家。

此举令外界感到非常惊讶。因为按照外界的估计，Sandisk与东芝本应到今年年末时才会对外公布其采用1xnm级别制程的NAND芯片产品。而现在Intel和镁光却只在第一名的宝座上坐了7天就被赶下台来。

目前Sandisk与东芝开发的19nm制程技术已经应用到了公司的2位元型64Gb密度芯片产品上，也就是说采用这种19nm制程技术制造的芯片容量可以达到8GB水平。未来两家公司还计划将这种制程技术应用在3位元型闪存产品上。

据东芝表示，两家公司将在其位于日本横滨的300mm规格Fab4（而非新建的300mmFab5）工厂内采用19nm制程生产这种芯片产品，并将逐步提升芯片的产量。目前两家公司在横滨的生产基地内共设有四间NAND闪存芯片工厂。

去年，日本东芝公司开始了新NAND闪存芯片厂Fab5的建设工作，这间工厂同样也是300mm规格，该厂预计今年春季将竣工。

东芝还表示，东芝方面采用19nm制程制作的2位元型64Gbit密度NAND芯片样品将于本月底对外供应，而产品的量产则定于今年第三季度进行。

应用19nm制程将能进一步缩小闪存芯片的尺寸，这样东芝便可以将16片64Gbit密度的NAND闪存芯片安装在同一个封装内，制造出128GB容量的闪存芯片产品，以满足智能手机和平板电脑的需求。另外，这款采用19nm制程技术制造的NAND闪存芯片还启用了可提升数据传输速度的Toggle DDR2.0技术。

而Sandisk方面则将在本季度内推出采用19nm制程64Gbit密度NAND芯片制作的X2闪存样品，产品的量产则计划于今年下半年启动。届时Sandisk同样会将19nm制程技术引入3位元型设计的NAND闪存芯片产品中去。