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瑞晶成功试产尔必达30nm 3Gb DDR3芯片

来源:cnbeta 作者:cnbeta 责任编辑:admin 发表时间:2011-04-21 08:25 
核心提示:4月20日报道,台湾瑞晶电子公司宣布成功试产了尔必达的30nm制程2Gb密度DDR3内存芯片产品,这次试产尔必达30nm制程产品的结果达到了公司预期的期望值,瑞晶并称公司将按计划进行制程的切换工作。

4月20日报道,台湾瑞晶电子公司宣布成功试产了尔必达的30nm制程2Gb密度DDR3内存芯片产品,这次试产尔必达30nm制程产品的结果达到了公司预期的期望值,瑞晶并称公司将按计划进行制程的切换工作。

新的2Gb DDR3内存芯片采用的是尔必达开发的30nm制程技术制作,这种制程功耗低且产出效率高.相比采用40nm制程制作的芯片,每片晶圆可多产出45%数量的芯片。

这种30nm制程2Gb密度DDR3芯片可满足DDR3-1600标准,工作电压1.35V,可兼容DDR3+标准(seamless BL4 access:可以提升突发长度为4时的芯片突发读写操作的效率),应用在消费电子类产品上后可提升产品的整体性能。

瑞晶的发言人表示:“我们希望今年下半年能完成转向尔必达30nm制程的工作,届时的月产能可达8.5万片晶圆,我们将生产2Gb/4Gb两种密度规格的30nm DDR3内存芯片。”

瑞晶是尔必达在台湾的子公司。

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