IMFT 20nm制程8GB MLC NAND闪存芯片产品后续追踪报道

昨天我们曾报道了Intel镁光正式推出20nm制程8GB容量MLC NAND闪存芯片产品的消息，不过今天我们又得到了有关这款20nm制程NAND芯片产品的更多消息，主要在这款产品的耐久性数据以及制程工艺和芯片产地这三个方面，一起来了解一下：

耐久性方面：

耐久性方面，闪存的耐久性是以能够经受写入/擦除操作的周期数来衡量的。早期的NAND闪存产品的耐久性一般在10万次.超过这个周期数，闪存芯片的存储单元就有可能出现损坏。后来，为了降低闪存的制造成本，厂商们开始使用50nm级别制程的MLC NAND闪存芯片，这类芯片一般都配备了4bit纠错功能，耐久性则一般在1万次左右。

发展到最近，30nm级别制程的MLC NAND闪存芯片产品则一般配备了8bit纠错功能，但耐久性则进一步降低到5000次左右。

而IMFT这次推出的20nm制程MLC NAND闪存芯片的耐久性则处于5000次的水平。

新NAND芯片的产地：

据镁光公司确认，IMFT设在犹他州Lehi地区的300mm芯片厂，是新推出的20nm制程MLC NAND闪存芯片前期的主要产地。这间工厂是IMFT旗下目前制造工艺最先进的工厂，目前还负责制造25nm制程的NAND闪存芯片产品，其生产的产品则供给镁光和Intel使用。

另外，IMFT公司也已经开始在其设在新加坡的新300mm工厂内开始投产NAND闪存芯片产品，但其投产的产品是25nm制程的产品，并没有生产20nm制程产品.下周，这间设在新加坡的300mm芯片厂将举行正式开工仪式。尽管此前有传言称Intel似乎不准备对这间工厂进行投资，但此次双方并没有就此消息进行澄清，仅称双方的合作关系“依然十分紧密”。

新NAND芯片的制造方法猜测：

按照目前的技术水平来看，理论上说，193nm波长液浸式光刻工艺所能达到的量产极限是在20nm左右.据外界猜测，目前包括IMFT在内的各家NAND闪存芯片厂商在生产25nm制程的NAND闪存芯片产品时，采用的可能都是193nm液浸式光刻+自对准型双重成像技术（SADP）（双重成像技术的另外一种主要工艺是LELE工艺），另外，外界还普遍认为IMFT公司所使用的液浸式光刻机则是产自荷兰ASML公司的产品。

不过Intel和镁光则拒绝透露其20nm NAND闪存芯片产品所采用的制程技术细节，仅表示这款芯片产品仍使用现有的生产设备进行生产制造。