英特尔首个32纳米SRAM芯片问世 09年生产产品
9月18日,英特尔秋季信息技术峰会(Intel Developer Forum,简称IDF)在美国旧金山的莫斯克尼会议中心(Moscone Center West)正式拉开帷幕。
会上,英特尔总裁兼首席执行官保罗?欧德宁介绍了英特尔最新的产品、芯片设计和制造工艺技术,英特尔第一个32纳米静态随机存取器(SRAM)也在此次峰会上首次亮相。
随着首个45纳米高-k金属栅极处理器即将面市,欧德宁表示英特尔已经进入下一代大规模制造的重要里程碑。他披露了英特尔的第一个32纳米静态随机存取器芯片,该芯片上将集成超过19亿个晶体管。
据介绍,32纳米SRAM芯片采用第二代高-k金属栅极晶体管,其存储单元的面积只有0.182平方微米。
欧德宁表示,SRAM作为测试工具,在引入使用32纳米制造工艺的处理器和其他逻辑芯片之前,用于演示技术性能、处理收益以及芯片可靠性。
英特尔预期将在2009年开始制造32纳米产品。
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