英飞凌推出第一代65nm嵌入式快闪安全芯片

来源：维库电子市场网　作者：佚名　责任编辑：admin　发表时间:2011-11-28 10:13　

核心提示：在竞争激烈的安全 IC 市场上，采用 65nm 技术生产具有相当大的竞争优势，因为相较于旧有技术，65 nm 技术能够大幅缩小芯片体积，进而提高效率。此外，12?晶圆亦较8?晶圆更具生产力。

英飞凌科技(Infineon Technologies)宣布推出第一代65 奈米(nm)嵌入式快闪 (eFlash)安全芯片样本，主要用于芯片卡与安全防护应用。这是英飞凌和台积电自 2009 年合作开发及生产 65nm eFlash 安全芯片的成果。

首批进入量产的产品将是 SIM 卡应用的安全芯片，预计将于 2012 下半年进行制程及产品验证。在竞争激烈的安全 IC 市场上，采用 65nm 技术生产具有相当大的竞争优势，因为相较于旧有技术，65 nm 技术能够大幅缩小芯片体积，进而提高效率。此外，12?晶圆亦较8?晶圆更具生产力。

英飞凌芯片卡及安全业务事业处营运部副总裁 Pantelis Haidas 表示，这是英飞凌与台积电合作开发采用 65nm eFlash 技术的首项成果。该公司依据信息技术安全评估共同准则(Common Criteria for Information Technology Security Evaluation)所规格的生产环境中，成功采用了这项先进的12?晶圆技术，并为往后可提供各式芯片卡和安全防护应用的产品建立基础。

适用于芯片卡及安全防护应用的 65nm eFlash 技术将会是英飞凌的技术基石，让公司得以发挥创新能力，专注开发生产客制化的安全性产品，以最佳成本效益比，针对智能卡尺寸及其他应用装置提供适当的安全等级。除与台积电合作开发12?晶圆外，英飞凌更将合作范围延伸至 90nm eFlash 节点。

英飞凌科技并于 2011 年智能卡暨身份识别技术产业展 (CARTES & IDentification 2011) 中展示该芯片卡及安全性解决方案。

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