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微电子所高压驱动芯片研究取得新成果

来源:中国科学院 作者:佚名 责任编辑:admin 发表时间:2011-10-21 21:17 
核心提示:射频集成电路研究室在该项目上的863伙伴“苏州汉朗光电”的EPD技术起源于剑桥大学,在EPD材料领域经过了多年的积累,具有大尺寸和真彩支持等优点。本次产品开发是基于超高压CMOS工艺(90V)的多电压Driver设计并一次流片成功。

中科院微电子研究所射频集成电路研究室技术团队在“863”项目资助下,成功开发出一款多稳态高压驱动电路芯片,并成功实现无源电子纸显示屏(Passive - EPD)的驱动,为国内相关显示器技术的产业化解决了驱动集成电路这一瓶颈问题。

射频集成电路研究室在该项目上的863伙伴“苏州汉朗光电”的EPD技术起源于剑桥大学,在EPD材料领域经过了多年的积累,具有大尺寸和真彩支持等优点。本次产品开发是基于超高压CMOS工艺(90V)的多电压Driver设计并一次流片成功。产品在超高压CMOS工艺上使用了正、负对称高压输出设计。相比于同类单侧高压设计,便于简化显示器驱动电源设计,并在EPD领域首次实现超高压COG(Chip-On-Glass)封装驱动。

项目团队同时也进行了EPD显示器单侧高压输出和基于恒流源的驱动芯片设计,单侧高压输出的设计同样获得成功验证,基于恒流源的设计可望用于OLED、LED背光等其他应用场合。

高压驱动芯片低耗电且绿色环保,提高了能源利用率,该芯片的流片成功也为其后续的产业化打下了良好的基础。

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