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三星展示新双核芯片、NAND闪存和传感器技

来源:阿里巴巴 作者:佚名 责任编辑:admin 发表时间:2011-10-10 14:46 
核心提示:三星表示智能手机和平板电脑的摄像头将前进一个台阶,并公布了最新型号为“SK52P1的CMOS传感器。该传感器是一款1.34微米级别的背照式(BSI)图像传感器,像素高达1600万像素,帮助高端智能手机在光线较暗的地方拍下高画质照片。

8日消息,据外媒报道,三星于今日通过行动解决方案年度论坛(SamsungMobileSolutionsForum)展示了新款处理器、最新的闪存技术,以及最新的摄像头技术。

但是,三星并没有公布这三个新技术产品的主要客户和订单情况,不过除了三星自身打头阵之外,苹果依然被公认为其最重要的客户之一,对象包括IOS设备和Mac的SSD硬盘。据此前传闻称,苹果已经将部分生产线撤离三星,但是否全部撤离将取决于三星本身。

Exynos4212双核心处理器

首先是三星最新自主研发的芯片――Exynos4212双核心处理器,采用新32nm工艺打造,主频1.2GHz提升至1.5GHz,目前该处理器应运用在三星最新的旗舰手机GalaxySIILTE上。据测试表明,Exynos4212较上一代产品的3D渲染性能提升近50%左右。

三星表示,今年秋季开始,新的Exynos4212双核心处理器已经进行抽样测试,除了目前已在加拿大和韩国最新发布的高端手机GalaxySIILTE采用该处理器之外,其余他部分新品也将采用该处理器,比如GalaxySIIHDLTE。如不出意外的话,10月11日发布的“NexusPrime以及三星的新平板也将分有Exynos4212芯片版本。

64GBNAND闪存芯片

三星还介绍了公司最新更快的嵌入式64GBNAND闪存芯片,该芯片将普遍运用于智能手机和平板电脑。据介绍,新闪存芯片采用更小的20nm工艺和DDR2内存技术标准,拥有更高效率的核心设计和更高的带宽,读取和写入速度分别高达每秒80MB和40MB,较三星上早期产品性能提升60%以上。

遗憾的是,三星并没有透露新款64GBNAND闪存芯片将于何时正式出货,不过三星称2012年智能手机和平板电脑的运行内存(RAM)将提升到更快的2GB。

新传感器技术

此外,三星表示智能手机和平板电脑的摄像头将前进一个台阶,并公布了最新型号为“SK52P1的CMOS传感器。该传感器是一款1.34微米级别的背照式(BSI)图像传感器,像素高达1600万像素,帮助高端智能手机在光线较暗的地方拍下高画质照片。如果处理器性能足够强劲,即便在最大分辨率的情况下,830W像素的摄像头也依然支持以每秒30帧或高达60帧的帧率进行拍摄。

三星同时还介绍了另一个款1200万像素型号为“SK58AA的传感器。三星称,SK58AA的强大之处在于,该传感器完全可以运用于手机或平板的前置摄像头之上。而且SK58AA采用了1.4微米级别的背照式感光元件,支持每秒30帧的720p视频录制,相当于时下流行智能手机主摄像头的水平。不过遗憾的是SK58AA传感器厚度达到了2.8mm,对于尺寸尺度要求较高的的手机来说,该传感器将难以采用。

三星称,目前两款传感器仍在样品测试阶段,但1600万像素的SK52P1已经做好准备,将于今年11月份开始量产。

(责任编辑:admin)
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