羽翼渐丰：浅谈3D芯片堆叠技术现状(3)
席卷全球的3DIC热潮：
另外一方面，去年由Sematech，SIA(Semiconductor Industry Association)以及SRC(Semiconductor Research Corp.)三大组织牵头，启动了另外一项与3D芯片堆叠技术有关的研究项目，该项目的目标主要是为可应用于多种场合的异质结构3D芯片互联技术制定行业标准规范。目前加入这个项目的成员有ADI, Altera, LSI, 安森美和高通。
对3D芯片堆叠而言，晶圆键合技术所起到的作用非常关键。根据国际半导体技术路线图(ITRS)的预计，2012年后应用的TSV穿硅互联结构中的微过孔直径将被控制在0.8-4.0微米之间。
美国Sematech组织在欧洲的对手IMEC也在积极研制与3D芯片堆叠有关的技术。本月早些时候，Cascade Microtech公司和IMEC宣布将就3DIC的测试方法研制项目进行合作。两家公司将在3D TSV技术所用的量测方法方面展开紧密合作，并宣称将在3DIC用研发及产品测试标准制定领域走在全球前列。
另外，法国的CEA-Leti也已经开始启动基于300mm晶圆规格的3DIC试产项目。CEA-Leti与意法半导体之间合作密切，同时他们还计划与另一家硅中间互连层的厂商 Shinko Electric Industries公司展开合作。
亚洲方面，新加坡微电子所( Institute of Microelectronics (IME))最近也组建了一个与3D堆叠技术有关的联盟组织，台湾工研院(ITRI)也组建了一个类似的联盟组织，其成员数达到了22家公司，包括联电，思科，日月光等。
去年，尔必达，力成科技及联电三家公司还宣布将合作开展基于28nm节点制程的3D芯片堆叠技术的研发。
最后，赛灵思则在去年宣布推出可将多块FPGA核心通过3D堆叠技术集成在单片封装中的技术，并将把这种技术应用在其28nm制程7系列FPGA产品上。有关的产品定于今年下半年上市。
苹果A4/A5处理器虽然也使用了类似3D芯片堆叠的技术，但并没有使用TSV和Interposer结构，而是采用如上图所示的结构，直接通过Microbump实现内存芯片与逻辑芯片的互联。
(责任编辑：admin)
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