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基于数字信号处理器的IGBT驱动电路可靠性分析与设计(3)

来源:西安理工大学 作者:王建渊 钟彦儒 张晓 责任编辑:admin 发表时间:2018-11-02 11:27 
核心提示:2.2 F240与LF2407APWM接口驱动设计 微处理器采用不同的集成技术,在设计接口电路时应充分考虑其驱动能力及电平匹配。对于F240,采用5VCMOS技术,直接与TTL电平相兼容,不必考虑一些特殊接口电路。但从可靠性设计角

2.2    F240与LF2407APWM接口驱动设计

微处理器采用不同的集成技术,在设计接口电路时应充分考虑其驱动能力及电平匹配。对于F240,采用5VCMOS技术,直接与TTL电平相兼容,不必考虑一些特殊接口电路。但从可靠性设计角度出发,可在处理器与驱动芯片之间增加隔离驱动芯片,如图2所示。

LF2407A采用3.3V CMOS技术,该技术使得电路实现了低功耗工作,同时也带来了一些问题,即接口电平匹配与驱动能力问题。图3给出了3.3V CMOS输出到MOSFET的输入接口电路。许多MOSFET在一定的负载电流下要达到饱和导通栅极电平大于3.3V,因此设计中采用标准5V CMOS缓冲器74HC240将3.3V CMOS转换到5VCMOS电平。

3    基于数字信号处理器的驱动方案设计

通过上述分析可知,基于数字信号处理器(DSP)的IGBT驱动电路的可靠性设计,要求充分了解和掌握IGBT和DSP相关的电气特性及可靠性设计的原则。这里采用HP公司的HCPL-316J门极驱动光耦合器结合TMS320F240给出了一种可靠的IGBT驱动方案。

3.1    HCPL-316J特性

HCPL-316J是由HP公司生产的一种2A IGBT门极驱动光耦合器,其内部集成集电极发射极电压欠饱和检测电路及故障状态反馈电路。主要有以下一些特性:

——兼容CMOS/TTL电平;

——光隔离,故障状态反馈;

——开关速度最大500ns;

——“软”IGBT关断;

——VCE欠饱和检测及带滞环欠压锁定保护;

——宽工作电压范围(15~30V);

——用户可配置自动复位、自动关闭。

DSP与该耦合器结合实现IGBT的驱动,使得IGBT VCE欠饱和检测结构紧凑,低成本且易于实现,同时满足了宽范围的安全与调节需要。

3.2    驱动方案设计

目前,各公司推出的用于IGBT驱动的电路各具特色。HP公司的HCPL-316J集成了VCE欠饱和检测及故障状态反馈电路,为驱动电路的可靠工作提供了保障,同时还具有简单易实现的特点。图4给出了基于DSPF240的IGBT驱动方案原理图。

4    结语

本文通过分析IGBT功率器件的特性、对可靠性驱动的要求以及应用于变频器的几种数字信号处理器的PWM口驱动能力,设计了一种可靠的IGBT驱动方案。该方案已在春日变频器驱动电路中得到应用,并取得了很好的效果。随着IGBT的广泛使用,这一方案将具有很好的借鉴意义及应用前景。

(责任编辑:admin)
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