双芯片P沟道功率TrenchFET®功率MOSFET【Vishay】

来源：EEWORLD　作者：秩名　责任编辑：admin　发表时间:2011-03-03 07:03　

核心提示：日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE ：VSH）宣布，推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有8V栅源电压和迄今为止双芯片P沟道器件所能达到的最低导通

宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 3 月 2 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE ：VSH）宣布，推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有8V栅源电压和迄今为止双芯片P沟道器件所能达到的最低导通电阻。

新的 SiA923EDJ可用于DC-DC转换器，以及智能手机、MP3播放器、平板电脑和电子书等手持设备中的充电和负载开关。更低的MOSFET导通电阻意味着更低的传导损耗，从而在这些设备中节省电能并延长两次充电之间的电池寿命。

SiA923EDJ在4.5V、2.5V、1.8V和1.5V时分别具有54mΩ、70mΩ、104mΩ和165mΩ的超低导通电阻。具有8V栅源电压等级且性能最接近的P沟道器件在4.5V、2.5V、1.8V和1.5 V时的导通电阻为60mΩ、80mΩ、110mΩ和170mΩ，分别比SiA923EDJ高10%、12%、5%和3%。

MOSFET在1.5V电压下就能导通，因而能够配合手持设备中常用的电压更低的栅极驱动器和更低的总线电压一起工作，不需要在电平转换电路上浪费空间和成本。SiA923EDJ的低导通电阻使其在峰值电流下的电压降更小，能够更好地防止有害的欠压锁定事件。紧凑的2mmx 2mm PowerPAK SC-70封装只有TSOP-6的一半大小，而导通电阻则相近或更佳，并且在相同环境条件下的散热多65%。

SiA923EDJ经过了100%的Rg测试，符合IEC 61249-2-21的无卤素规范及RoHS指令2002/95/EC。MOSFET的典型ESD保护达2500V。

SiA923EDJ与此前发布的具有12V最大栅源电压等级的20V SiA921EDJ P沟道MOSFET互为补充。随着SiA923EDJ的发布，设计者现在可以从具有更高栅极驱动电压的SiA921EDJ或具有更低阈值电压及更低导通电阻的器件当中选择合适的产品。

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