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2015年15nm GF将用EUV光刻技术造芯片

来源:BEAREYES.COM 作者:网络 责任编辑:admin 发表时间:2018-07-14 14:15 
核心提示:在最近的SemiCon West产业会议上, Global Foundries公司对外宣布,将会在15nm制程时开始启用EUV极紫外光刻技术制造半导体芯片。

在最近的SemiCon West产业会议上, Global Foundries公司对外宣布,将会在15nm制程时开始启用EUV极紫外光刻技术制造半导体芯片。Global Foundries公司高级副总裁Greg Bartlett表示,在纽约Fab 8工厂建成之后的2012年下半年将会立刻开始在该工程部署EUV光刻的相关设备,与此同时,光刻设备厂商ASML也将会发售EUV光刻设备。

从制程工艺上来看,Global Foundries计划在今年年底到明年年初推32nm/28nm制程的相关产品,两年后将会启用22nm制程,而再过两年的2015年初Global Foundries将会启用15nm制程,届时EUV光刻技术将于15nm制程同步上线。IBM、AMD、Global Foundries等厂商一直以来对于EUV光刻技术都是相当支持的,之前都试用过ASML公司推出的Alpha EUV光刻试验机,所以在未来的应用中也不会有太多的技术障碍。

从竞争对手方面来看,英特尔原计划在22nm制程时启用EUV光刻设备,因此193nm沉浸式光刻技术将会被英特尔一直沿用到15nm制程甚至11nm制程;另外台积电方面则表示会在20nm制程时启用EUV光刻设备。由于到2015年,晶圆的尺寸将从目前的300mm升级到450nm,这对于启用EUV光刻技术会有什么影响呢?Global Foundries目前对于这一问题还没有做出任何的信息反馈。

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