高通宣布TD-LTE芯片明年量产投入商用市场
9月10日消息，高通（Qualcomm）昨日宣布，目前正于上海世博会展示的高通TD-LTE芯片，今年下半年进行测试后，将在明年中正式量产投入商用市场。由于在TD SCDMA芯片领域，目前已呈现天碁、联芯、联发科、展讯、晨星等多家竞争的局面，后进者的高通将凭借着领先的技术，跨过3G，直攻下世代TD LTE 4G的市场。
在8月中旬市场就传出高通内部已经确定TD-LTE芯片将在今年进行试验，明年年中将正式投入商用，而这个信息昨日也由高通正式对外宣布。高通表示，公司的TD LTE芯片（MDM9200解决方案）目前正在上海世博会展示，且即将迈向商用化。
高通表示，此款TD LTE芯片同时具备2x2 MIMO技术，以2.3GHz频段进行传输展示，公司预计在今年年底与全球多家电信厂商合作，针对采用MDM9200以及MDM9600解决方案的TD LTE产品进行行动测试，预计在明年年中正式量产，同时投入商用市场。
业界有分析认为，目前在TD SCDMA芯片领域，除了天碁、联芯、展讯外，联发科与联芯也都各自推出自家解决方案，由于联芯推出自家方案后，将TD芯片的价格压到很低（报价约8美元），加上价格竞争者晨星也将在今年年底推出TD解决方案，因此在3G领域，TD SCDMA芯片到今年年底将会处于完全竞争状态。
此外，高通是TD市场的后进者，不过却拥有领先的技术，所以跨过3G，直攻下世代TD LTE 4G的市场是相当合理的做法。
由于中国移动在今年在上海世博会建设的TD-LTE体验网，吸引不少手机厂商注意，加上中国移动今年的TD-LTE测试将涵盖三座城市、100座基站，预计除了高通外，包括天碁、联芯、展讯、联发科甚至威盛旗下威睿电通、Marvell等接下来也将陆续会投入到TD-LTE芯片市场。
(责任编辑：吴秀凤)
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