嵌入式存储技术在SoC设计的应用
嵌入式存储技术的发展已经使得大容量DRAM和SRAM在目前的系统级芯片(SOC)中非常普遍。大容量存储器和小容量存储器之间的折衷权衡使得各种尺寸的存储器变得切实可行，SoC也更像过去的板级系统。最新式的嵌入式存储器甚至增加了低功耗工作特性以满足手持系统的需求。
大容量嵌入式存储器给SoC带来了诸如改善带宽和降低功耗等只能通过采用嵌入技术来实现的各种好处。SoC中内嵌DRAM和/或大容量SRAM模块是否切合实际并取得成功主要依赖于制造工艺。高度可制造的存储器结构可以解决影响SoC设计的成本、上市时间和风险问题。
虽然SRAM一直是SoC中的主要部件，但在过去的几年，单片SoC中SRAM块的大小和数量开始猛增。带150个SRAM块的芯片并不稀奇，一些内核容量甚至达到1Mb～8Mb。
与此同时，DRAM可制造性的提高已使得大容量DRAM模块的应用迅速增加。甚至在游戏机和便携式摄像机所用的ASIC中都包含了DRAM内核。以东芝为例，其嵌入式DRAM系统常常最先采用新一代制造技术。随着芯片制造向更细工艺发展，SoC中内嵌DRAM的数量和大小也不断增加。在180纳米工艺下，系统ASIC一般采用两块DRAM，总存储容量最大可到64Mb左右。而在目前的130和90纳米工艺下，一般系统会采用四块以上DRAM内核，最大容量为120Mb。
从制造的角度看，大块和小块存储器的制造难度差不多。不过，在大存储器和小存储器之间的权衡折衷要考虑对性能、芯片面积的一些影响。这些权衡不那么简单，所以如果用户要在使用较少的大块存储器与使用较多的小块存储器之间做选择的话，最好咨询一下半导体供应商的应用工程师。(责任编辑：admin)
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