TD-LTE产业链逐渐扩大国产芯片厂商需向28纳米突围(2)

来源：通信世界网　作者：梁辰　责任编辑：韩杰　发表时间:2013-05-13 14:35　

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核心提示：因此，虽然中国厂商在TD-SCDMA上积累有专利和知识产权，以及技术优势，但是由于TD-LTE应该是多模标准，而中国企业在WCDMA和LTE领域几乎没有专利和技术积累，这导致在竞争中中国厂商的发展将受到很大制约。所以无论

因此，虽然中国厂商在TD-SCDMA上积累有专利和知识产权，以及技术优势，但是由于TD-LTE应该是多模标准，而中国企业在WCDMA和LTE领域几乎没有专利和技术积累，这导致在竞争中中国厂商的发展将受到很大制约。

所以无论是技术成熟度，还是中国移动发展的重点，芯片厂商都选择了对TD-LTE优先发展数据卡，然后才发展智能终端。

对此，中兴方面亦回复记者称，“2013年TD-LTE终端主要以MiFi为主，CPE与数据卡辅助，下半年LTE单卡双待手机需求将会增加，LTE CSFB手机处于实验阶段。”

具体来说，智能终端的TD-LTE多模芯片工艺要求为28纳米，而国产厂商创毅视讯、联芯科技等厂商仍停留40纳米。因此，除了已有商用产品发布的华为海思和中兴微电子外，其他基本用于数据卡。这是因为数据卡主要用于Wi-Fi环境下的数据传输，对整个运算和芯片设计的技术要求低一点，而手机最低也要达到28纳米。

联芯科技总经理助理刘先军表示，对于TD-LTE芯片市场来说，在产业发展初期，基于40纳米工艺芯片的数据类终端可以满足TD-LTE应用需求。随着TD-LTE产业成熟和商用推广，未来TD-LTE芯片和终端需进一步提升性能，LTE芯片将逐渐向28纳米演进，以提供更佳的用户体验。

正因为如此，“80%的智能终端上市新品采用的芯片还是高通，而华为和中兴的TD-LTE手机使用的是自己的芯片。”任燕称，“这是产业和政策决定的。”

此前，利用海思的芯片，华为曾推出了一款TD-LTE手机Ascend D2，主要用于中国移动试商用网络。而中兴也利用中兴微电子的芯片推出了一款智能终端产品Grand Era LTE，用于中国移动在中国香港市场，后者已宣布TD-LTE网络正式投入商用。

不过，也有另一种声音认为，工艺并不是制约芯片厂商发展的因素。朱继志表示，追求工艺会导致企业承担更大的风险。

朱继志称，“因为数据卡的门槛低，可靠性、功耗等没有手机那么复杂。”所以芯片厂商的产品研发出来后，通过切入数据卡市场，既可以解决前期找客户难的问题，也可以通过与客户的配合，解决产品自身问题和适应市场变化。

下一步：多模多频高集成

虽然Strategy Analytics手机芯片高级分析师 Sravan Kundojjala称，在2012年意法爱立信在TD-SCDMA市场仅占约3%的市场份额，其离开对市场影响不大，但是意法·爱立信的解体，让业内发现芯片领域的洗牌已经开始，这对中国厂商来说或许是另一种机遇。

Sravan Kundojjala表示，LTE芯片领域需要巨额投资，未来市场上进一步的并购不可避免。从长期看，小型芯片厂商为了生存，必须加强彼此间的合作。

另一方面，产业内一直存在着中国制造效应。这就是说，一旦国产厂商进入这个领域，整体价格将会下降，进而引发大规模的销量增长。

对此，顾文军认为，对TD-SCDMA的兼容将成为中国芯片厂商所关注的热点。“因为TD-SCDMA是中国自行制定的标准，其中有很多知识产权属于中国企业，可以通过这些专利与TD-LTE专利持有者进行专利的交叉授权等。”

刘先军告诉记者，2013年，基于四模十一频TD-LTE/LTE FDD/TD-SCDMA/2G基带芯片将支持终端厂商推出多种数据类产品及手持类智能终端；2014年，计划推出LTE全模产品。

总之，对于国产芯片下一代产品的演进方向，目前主流的观点主要有三个。

第一，高集成度。这是由产品的生命周期决定的。市场的发展使得低端终端产品的生命周期仅有3到6个月，因此高集成度的芯片能够满足终端厂商的需求。朱继志表示，高集成度高是未来发展的趋势，这是因为芯片厂商普遍存在成本压力。SoC的解决方案不仅可以降低成本，还可以提高研发效率。(责任编辑：韩杰)

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