LTE芯片：加快补齐LTE 商用“短板”(2)

LTE规模商用还需2～3年

终端的话音、功耗、体积、应用等问题解决后，LTE才能规模发展。

LTE目前大部分是数据类终端，多模手机LTE模块仅用于数据业务，语音解决方案尚不成熟，LTE商用进度如何，何时能够规模商用，这些也成为业界关注的问题。

张路指出，由于多模LTE智能手机一般需要配备3G芯片和LTE基带芯片，这样的架构对功耗优化带来很大的挑战。因为3G和4G无线接收发射器各自独立运行，这样在测量、处理、协调等方面会造成许多重复。

“目前基于3G手机的大部分方案是65nm，平均待机时间为1天半，已经获得市场的认可；对于LTE手机来说，40nm可以达到商用标准。创毅已率先推出国内LTE/TDS的多模手机，功耗达到了移动二阶段试验网的要求，未来的手机功耗将随着智能机的普及越来越会受到大家的关注，芯片将会演进到28nm工艺。”张辉认为。

TD-LTE未来市场广阔，展讯已开始配合国内外客户开发支持TD-LTE的各种终端产品。

张路提到，目前TD-LTE在全球的部署正在展开，但市场表现不一。由于各国频谱管制政策和法规不同，TD-LTE可能首先在中国之外的地区实现商业化部署。然而，中国仍然是最大的TD-LTE移动市场，中国移动为部署TD-LTE也出台了一系列的策略，推动TD-LTE不断走强。Marvell推出的基于40nm工艺的LTE基带芯片PXA1802能够支持包括数据软件狗、LTEMiFi及LTE智能手机在内的多种技术。Marvell将在2013年致力于单芯片片上系统解决方案的开发，将领先的基带集成到高性能、多核应用处理器技术中。

中兴通讯微电子研究院技术总监朱晓明告诉记者：“从目前的应用上讲，45nm工艺终端芯片支持多模手机是没有问题的。LTE模块耗电虽然有些高，但是传输速度大，耗时就会短，实际上是省电的。LTE真正要把潜能发挥出来，比如容量更大、传输速度更高、能耗更低，则需要28nm的工艺。LTE大规模的推出需要等到2013年。”

TD-LTE技术优势主要体现在数据业务上。在TD-LTE发展初期和此后较长一段时间内，支持数据业务的数据卡、MIFI等数据类终端产品将是市场主要的产品形态。

“LTE智能终端只有在话音、功耗、体积、应用等终端环节解决后才可能规模发展，预计将在2014年之后。”彭大芹认为。

未来TD-LTE将向TD-LTE-A演进，需要支持更高速率的传输，这对芯片厂商提出了更高的要求。