Ramtron推出MaxArias无线内存
铁电内存(F-RAM)供货商Ramtron International Corporation稍早前展示了一款MaxArias无线内存。这种无线内存结合了Gen2 RFID无线存取功能与其非挥发性F-RAM内存技术的低功耗、高速度和高耐久性，能让设计师运用RF兼容高性能应答器(transponder) IC来发送、撷取和储存更多的信息，从而扩大其系统的通讯范围和内存容量。
Ramtron表示，MaxArias无线内存非常适合高价值资产追踪、药物追踪、制造和维护记录收集以及智能型能源读表等应用。
MaxArias无线内存的第一批产品包括：WM71004、WM71008和WM71016，其容量分别为256/512/1024 x 16位，这些组件具有几乎无限的读/写次数(写入次数大约为1,014次)，以及二十年的数据保存期。就运作范围、持续的内存存取带宽及可靠性而言，MaxArias无线内存具有完全对称的读/写运作能力，达到Gen-2标准的最大数据速率。
Ramtron表示，首款MaxArias无线记忆体系列结合了最高16Kb的高性能非挥发性F-RAM内存和EPCglobal Class-1 Generation-2 UHF无线接口协议标准，运作频率为860MHz至960MHz。结合优化的天线设计，MaxArias WM710xx产品系列可以使用由射频场感应出的能量来供电。根据Gen-2标准，MaxArias芯片可接收和处理经由RFID阅读器传输的指令。
Ramtron的MaxArias无线内存具有超越传统以EEPROM为基础的RF IC的独特优势。它具备更高的RF灵敏度，WM710xx能实现零功耗写入运作，因而在执行写入时不会影响功率或速度。使用低功耗F-RAM的MaxArias无线内存具有逾十公尺或更大范围的对称无线读/写功能;而在写入速度方面，MaxArias无线内存的速度较EEPROM快六倍，能够实现整个内存区块的写入运作，以更快的速度储存更多的数据，免除以EEPROM为基础的组件的「预备时间」(soak time)限制。
此外，Ramtron的SureWrite特性可确保数据完整性，防止在全区块写入期间出现数据损坏。由于F-RAM组件完全不受磁场的影响，并具有高伽玛辐射承受能力，MaxArias无线内存是需暴露于磁场或辐射干扰之应用的理想选择。
WM710xx MaxArias无线内存能在整个工业温度范围(-40℃至+85℃)运作，并备有几种配置，包括标准RoHS兼容的6脚UDFN封装、凸块芯片、裸片，或经全面测试且符合ISO-18000-6C标准的电子卷标。
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