芯片产品出笼LTE-Advanced发展有谱
2011年美国拉斯维加斯消费性电子展(CES)及甫结束的全球行动通讯大会(MWC)中,除长程演进计划(LTE)俨然为展场上一大亮点,初登场的LTE-Advanced也吸引不少目光,包括高通(Qualcomm)、安谋国际(ARM)等大厂纷纷发表进军LTE-Advanced市场的产品蓝图,此亦象征全球将正式迈入4G通讯时代。
MWC盛会可谓无线通讯技术发展的风向球。
3G晶片龙头厂商高通(Qualcomm)虽然在LTE的发展有些许延迟,但高通在2011年MWC中,率先展出包括LTE-Advanced、HSPA+ Advanced(Rel. 10)等4G通讯技术,以及针对“物联网”设计的物联网模组,证明高通在4G市场的发展将不落人后。高通资深产品管理副总裁Cristiano Amon表示,藉2011年MWC,高通推出的MDM晶片组支援最新的行动宽频技术,包括HSPH+ Rel. 9、分时同步分码多重存取(TD-SCDMA)、EVDO,以及LTE分时多工(TDD)、分频多工(FDD)等技术,资料传输速率可达下行150Mbit/s、上行50Mbit/s,为目前传输速率最高的LTE晶片组,也符合LTE-Advanced传输速率的门槛。
在LTE-Advanced技术的展示方面,高通利用增加超微型蜂巢式(Picocell)基地台的布建,让既有的LTE系统性能可更上一层 ,Amon指出,当适应性资料通道干扰管理应用于异构网路,以及基于先进接收器的干扰消除时,可使传输性能有更大的提升,进一步达到国际电工学会(ITU)对于4G通讯定义的100Mbit/s传输速率的要求。Amon并强调,未来高通也将持续发展整合LTE与3G多模系统的Snapdragon处理器。
IP大厂安谋国际(ARM)也宣布,包括高通、瑞萨电子(Renesas Eletronics)、三星(Samsung)、合肥东芯通信、迈威尔(Marvell)、Cognovo、ST-Ericsson、联发科、博通(Broadcom)及Intel Mobile Communication(IMC)等合作夥伴,皆将持续与安谋国际携手共进LTE及LTE-Advanced市场。安谋国际执行长Warren East表示,目前全球有95%的LTE基频设计使用安谋国际架构处理器,此外,安谋国际更提供反向相容支援,使2.5G/3G能顺畅运作于4G作业平台,以期能在LTE及LTE-Advanced等基频传输技术方面持续占有一席之地。
随着各家晶片大厂持续研发并推出产品,LTE-Advanced的发展将逐渐明朗化,不过,厂商普遍认为,LTE-Advanced的脚步仍待LTE市场成熟之际,才会接续发展,短期之内,业者将全力推动LTE。
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