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中国南车大功率IGBT产业化基地在湖南株洲市奠基

来源:中国智能电网在线 作者:佚名 责任编辑:admin 发表时间:2011-08-29 17:54 
核心提示:据了解, 这一项目设计年产8英寸芯片12万片、IGBT模块100万只,中国南车成为国内唯一掌握IGBT芯片设计―芯片制造―模块封装―系统应用完整产业链的企业,填补了国内相关技术领域的空白。

中国南车大功率IGBT产业化基地在湖南株洲市奠基,标志着中国首条8英寸IGBT芯片生产线项目正式启动,长期被国外垄断的功率变流装置有了“中国芯”。

中国南车大功率IGBT产业化基地除建设一条国际领先的8英寸IGBT芯片生产线外,还将建设9条满足不同行业用的IGBT模块生产线。产品电压等级从 600伏到6500伏,满足轨道交通以及电动汽车、风力发电、太阳能发电、智能电网、高压变频、工业传动等多个行业需求,成为中国首个完全依靠自主能力建设的、设计规模最大、技术实力最强、产品型谱最全的大功率IGBT产业化基地。

据了解, 这一项目设计年产8英寸芯片12万片、IGBT模块100万只,中国南车成为国内唯一掌握IGBT芯片设计―芯片制造―模块封装―系统应用完整产业链的企业,填补了国内相关技术领域的空白。中国南车株洲电力机车研究所有限公司总工程师冯江华介绍,IGBT,是一种新型功率半导体器件,中文全名“绝缘栅双极型晶体管”,是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品,广泛应用于轨道交通、航空航天、船舶驱动、智能电网、电力电子、新能源汽车等战略性产业领域,是节能技术和低碳经济的主要支撑,被业界誉为功率变流装置的“CPU”、绿色经济的“核芯”。

这一项目完成后,该基地将具备年产12万片8英寸IGBT芯片和100万只大功率IGBT器件的能力,年产值超过20亿元,其产业规模和技术实力均超过国内已有水平,达到国际领先水平。

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